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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
Device Physics and Applications
- 저자
- Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama
- 출판사
- Springer
- 출간
- Mar 24, 2020
- 쪽수
- 439쪽
- 제본
- 양장(하드커버)
- ISBN
- 9789811512117
| 제목 | Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications |
|---|
| 저자 | Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama |
|---|
| 출판사 | Springer |
|---|
| 출간 | Mar 24, 2020 |
|---|
| 쪽수 | 439쪽 |
|---|
| 제본 | 양장(하드커버) |
|---|
| ISBN | 9789811512117 |
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Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
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